近年来在光通信、光互连巨大需求的推动下，硅基光电子集成技术蓬勃发展。但由于硅是间接带隙半导体，发光效率不高，硅基光源这一核心器件成为制约其发展的瓶颈，特别是符合超高速光通信和波分复用要求的单色性好、波长精确可控的硅基激光器一直没有实现。将发光特性优良的III－V族化合物半导体材料直接外延生长到晶格不匹配的硅衬底上，并制作高性能硅基半导体激光器一直被视为实现大规模、低成本、高性能硅基光源和光电集成芯片的关键核心技术途径。
近日，中山大学光电材料与技术国家重点实验室余思远教授团队与英国伦敦大学学院（UCL）刘会赟教授团队合作，成功实现了国际首例硅基外延生长电抽运室温连续工作分布反馈式（DFB）激光器阵列芯片。
余思远团队依托其近年建设的先进光电子集成工艺平台，采用刘会赟团队的先进硅基外延量子点增益材料，成功制备了硅基直接外延生长的集成多波长分布反馈（DFB）激光器阵列芯片。
该芯片将是未来光通信技术的核心芯片，这项研究将我国的核心光电子集成芯片技术推向国际顶尖水平，对于在激烈的国际高技术竞争背景下打破国际垄断，占领未来技术高地，提升我国自主研发能力，具有重要意义。
