从前面关于3D Tri-Gate工艺的介绍来看，这一创新技术给桌面处理器带来了无“限”可能，实际上，Tri-Gate工艺还将引发现代电子产业的革新。
Intel将在以上五家晶圆厂采用22nm Tri-Gate制造工艺
3D Tri-Gate工艺为移动设备带来更广阔发展空间
晶体管是现代电子的基石，3D Tri-Gate工艺一举改变了沿用了50多年的晶体管设计，它不仅延续了摩尔定律，还将为移动处理器芯片扫清体积和功耗上的障碍，从而在为移动计算设备提供媲美桌面处理器性能的同时，进一步降低设备功耗，这在电池技术发展缓慢的当前具有非凡的意义。
晶体管制造工艺发展
Intel计划推出14nm制程的Atom处理器
Intel目前正在进入移动处理芯片市场，借助3D Tri-Gate工艺，Intel可以推出更低功耗的Atom处理器(关于Atom处理器发展历史可参考文章：终究能否逆天！Intel Atom全面回顾)，从Intel Atom处理器路线图上我们看到，Intel计划于2014年推出14nm的Atom，3D Tri-Gate工艺则在2013年就登陆22nm的Atom了。在3D Tri-Gate新工艺帮助下，Intel将能推出性能更强、功耗更低的SoC芯片，一切顺利的话，智能手机和平板机市场的格局将会全面改变。
